乾照光电申获《掩埋式高亮度发光二极管结构》国家专利:yabo亚博登录

本文摘要:7月22日,乾照光电在互联网技术发布了《关于公司取得发明专利和商标注册证书的公告》,该企业答复已获得一项起名叫《挖出式高亮度发光二极管结构》的我国专利发明,此项目地专利号为ZL201010140070.9。

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7月22日,乾照光电在互联网技术发布了《关于公司取得发明专利和商标注册证书的公告》,该企业答复已获得一项起名叫《挖出式高亮度发光二极管结构》的我国专利发明,此项目地专利号为ZL201010140070.9。  据了解,该发明人是一种挖出式高亮度发光二极管构造,应用MOCVD、MBE或别的机器设备在基钢板生产制造外延性层,外延性层能够根据键合方法或某类方法移往到另一基钢板,出光亮层另一侧做为第一电级,根据掩膜维护保养,运用干式转印或湿式转印制做挖出区,转印深层越过数字功放层,再作根据真空泵喷发物机器设备挖出区域内镀制浸蚀膜做为阻隔层,阻隔层上边或周边镀制第二电级。

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此项发明人可提高电流量的流过高效率和闪动高效率,且在挖出式高亮度发光二极管层面具有极强的创新能力和领跑性。乾照光电答复,此项专利权将对企业关键技术的提升 造成全力的危害。

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